PMI8998 IC

====================================================================================================

           QUALCOMM PMI8998-003 FLAGSHIP SUB-PMIC / CHARGING & POWER IC REPAIR GUIDE

====================================================================================================

1. PRODUCT IDENTIFICATION & SILICON SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Silicon Laser Marking:          PMI8998 [Line 2: 003]

- Commercial Hardware Name:       Qualcomm Flagship Intermediate Power Management Subsystem

- Silicon Manufacturer:           Qualcomm Technologies, Inc.

- Semiconductor Process Node:     High-Density Sub-Micron PMIC Process

- System Classification:          Flagship Secondary Power Management IC (Charger / VPH_PWR / Type-C)

- Associated Main Platform:       Qualcomm Snapdragon 835 (MSM8998 Octa-Core Platform)

- Companion Primary PMIC:         Qualcomm PM8998 (002) + Qualcomm PM8005 (in select multi-phase boards)

- Package Form Factor:            Fine-Pitch Wafer-Level Chip-Scale BGA (WLCSP BGA)

- Subsystem Blocks Inside PMI8998:

  * Switching Fast Charger & USB-PD Controller:

    - Supports Qualcomm Quick Charge 4.0 / 4+ and USB Type-C Power Delivery up to 27W.

  * Primary System Bus Generator (VPH_PWR / VSYS):

    - High-efficiency synchronous step-down buck converter producing 3.7V – 4.2V DC master rail.

  * Type-C Port Controller & CC Detection:

    - Dual CC line negotiation, plug orientation, role detection (DFP/UFP/DRP), and 5V OTG boost.

  * Battery Management & Fuel Gauge:

    - Precise ADC tracking battery state of charge, internal resistance, and NTC thermistor channels.

  * Haptic Feedback Driver:

    - High-bandwidth linear resonant actuator (LRA) haptic motor controller.

  * Flash & Auxiliary Drivers:

    - Dual-string high-current camera flash and torch LED drive circuit.

  * SPMI Bus Interface:

    - Inter-chip communication bus synchronized with Primary PM8998 and Snapdragon 835 AOSS.

2. COMPATIBLE FLAGSHIP SMARTPHONES (SNAPDRAGON 835 PLATFORM):

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Samsung Galaxy:

  * Galaxy S8 (SM-G950U / SM-G9500 Snapdragon)

  * Galaxy S8+ (SM-G955U / SM-G9550 Snapdragon)

  * Galaxy Note 8 (SM-N950U / SM-N9500 Snapdragon)

- Google:

  * Google Pixel 2 (Walleye) & Pixel 2 XL (Taimen)

- OnePlus:

  * OnePlus 5 (A5000 - Cheeseburger) & OnePlus 5T (A5010 - Dumpling)

- Xiaomi:

  * Xiaomi Mi 6 (Sagit) & Xiaomi Mi MIX 2 (Chiron)

- Sony Xperia:

  * Xperia XZ Premium (G8141/G8142) & Xperia XZ1 / XZ1 Compact

- LG:

  * LG V30 / V30+ (Snapdragon 835 models)

3. TYPICAL BOARD-LEVEL FAULT SYMPTOMS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Completely Dead Device (0.00A or 0.02A–0.03A Stuck Draw on DC Power Supply):

  * Internal buck switching stage fails, preventing VPH_PWR generation. Main PM8998 and CPU get 0V.

- Type-C Fast Charging Failure / Extremely Slow Charging (Stuck at 0.40A – 0.50A):

  * Phone fails to negotiate Quick Charge 4.0 or USB-PD protocols due to internal CC logic damage.

- Overheating Motherboard with Rapid Battery Drain (Self-Discharge):

  * Internal short in the switching FET array causes PMI8998 to run scorching hot even in power-off state.

- VPH_PWR Direct Short to Ground (0.000V in Diode Mode):

  * High-side buck MOSFET breakdown creates a zero-ohm bridge between battery power and ground.

- Hang on Boot Logo (Samsung Galaxy / Google / OnePlus Logo Freeze):

  * Failure of the SPMI communication bus between PMI8998 and PM8998 halts the kernel during early boot.

4. STEP-BY-STEP MULTIMETER TESTING & DIAGNOSTICS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

A. Cold Testing (Diode Mode Check - Board Powered Off, Battery Disconnected):

   1. Connect Multimeter RED probe to Motherboard Ground (GND shield), probe points with BLACK probe:

      - VBUS Input Filter Capacitors (near Type-C port): Normal ~450mV – 560mV.

      - Battery Connector Positive Terminal (VBAT): Normal ~400mV – 480mV.

      - VPH_PWR Inductor (large switching coil next to PMI8998): Normal ~350mV – 450mV (0.000V = dead short).

      - Type-C CC1 and CC2 Lines: Normal ~550mV – 650mV.

      - SPMI Bus Clock & Data Lines: Normal ~400mV – 550mV.

      - Boot Capacitor (BST): Check across capacitor terminals; must NOT read zero ohms (no short).

   2. Short-Circuit Isolation:

      - If VPH_PWR reads 0.000V, inject 3.8V DC (limited to 2.0A) onto the inductor. 

        Observe under thermal camera: if PMI8998 illuminates white-hot immediately, desolder the chip.

B. Live Operating Voltage Check (Hot Testing):

   1. Insert USB Type-C charger into the phone:

      - VBUS input capacitor: Must measure steady 5.0V, 9.0V, or 12.0V DC (depending on charger protocol).

      - VPH_PWR Inductor: Must output steady 3.7V – 4.2V DC (even with battery disconnected).

      - Battery terminal pins: Must measure pulsed 3.7V – 4.35V DC charging voltage.

   2. Connect DC bench power supply and trigger power-on:

      - VPH_PWR rail must remain rock solid at 3.8V–4.0V DC without fluctuating during CPU peak boot spike.

5. SOLDERING, REBALLING & REWORK SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Thermal Protection & Surrounding Components:

  * PMI8998 sits beneath a soldered RF shield in close proximity to the Snapdragon 835 CPU (PoP RAM) 

    and UFS storage chip.

  * Always shield neighboring CPU and UFS memory with thick Kapton tape and copper cooling coins.

- IC Removal:

  * Dispense high-grade non-corrosive RMA BGA tacky flux around PMI8998.

  * Hot air rework station settings: 320°C – 335°C, airflow 35% – 45% (medium precision nozzle).

  * Circle nozzle uniformly for 30–40 seconds. Once all solder joints liquefy, lift chip vertically.

- PCB Pad Cleanup:

  * Apply 183°C (Sn63/Pb37) leaded solder to logic board footprint to dilute high-melt factory unleaded alloy.

  * Flatten pad matrix using copper desoldering braid with soldering iron set to 290°C – 300°C.

  * Clean thoroughly with 99% Isopropyl Alcohol (IPA); inspect pads under microscope for any lifted pads.

- Reballing Procedure:

  * Use a dedicated or universal 0.12mm BGA stencil matching the PMI8998 footprint.

  * Spread 183°C leaded solder paste smoothly across all apertures with a flexible scraper.

  * Reflow gently at 280°C with 20% airflow until uniform solder spheres form.

- Placement & Alignment:

  * Spread a thin, transparent layer of tacky BGA flux onto PCB pads.

  * Align Pin 1 dot on the PMI8998 chip with silkscreen corner indicator.

  * Reflow at 310°C – 320°C with 35% airflow; observe the chip pull into place by solder surface tension.

  * Allow motherboard to cool naturally for 3–5 minutes before connecting DC power or battery.

====================================================================================================