PM8350BHS IC

====================================================================================================

      QUALCOMM PM8350BHS / PM8350BHS-001 SECONDARY CHARGER & POWER MANAGEMENT IC GUIDE

====================================================================================================

1. PRODUCT IDENTIFICATION & SILICON SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Silicon Laser Marking:          PM8350BHS (Variant Code: PM8350BHS-001 / PM8350BHS 001)

- Silicon Manufacturer:           Qualcomm Technologies, Inc.

- Semiconductor Process Node:     Samsung 5nm EUV Advanced FinFET Architecture

- System Classification:          Secondary PMIC, Switching Battery Charger, VPH_PWR & Flash LED Driver

- Associated SoC Platforms:       Qualcomm Snapdragon 888 5G (SM8350), Snapdragon 888+ 5G (SM8350-AC)

- Multi-PMIC Triad Architecture:  PM8350-004 (Master Core) + PM8350C (GPU/Display) + PM8350BHS (Charging/VPH)

- Package Form Factor:            Fine-Pitch Wafer-Level Chip-Scale BGA (WLCSP)

- Functional Circuit Domains:

  * Switch-Mode Battery Charger (SMBB):

    - Supports Qualcomm Quick Charge 4+ / Quick Charge 5 & USB-PD PPS negotiation.

    - Synchronous step-down buck conversion from USB VBUS (5V/9V/12V) down to battery charge voltage.

    - Integrated Power-Path control: Dynamic arbitration between USB input, battery cell, and system load.

  * System Voltage Generation (VPH_PWR):

    - Supplies system base operating rail VPH_PWR / VSYS (3.6V – 4.2V) feeding all primary buck converters.

  * Camera Flash LED Driver Subsystem:

    - High-efficiency boost converter driving dual LED emitters up to 2.5A pulse current.

  * Precision Analog & Thermal Monitoring:

    - Battery temperature thermistor sensing (BATT_THERM) and internal die thermal shutdown loop.

    - Reverse boost capability for USB OTG (5.0V output at Type-C connector).

  * Peripheral Low-Noise Regulators:

    - Secondary low-dropout (LDO) rails supporting RF front-end, audio codecs, and tactile vibration drivers.

2. COMPATIBLE 5G FLAGSHIP SMARTPHONES:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Samsung (Qualcomm Snapdragon 888 Models):

  * Galaxy S21 5G (SM-G991U), Galaxy S21+ 5G (SM-G996U), Galaxy S21 Ultra 5G (SM-G998U)

  * Galaxy S21 FE 5G (SM-G990U / SM-G990U1)

  * Galaxy Z Fold 3 5G (SM-F926U), Galaxy Z Flip 3 5G (SM-F711U)

- Xiaomi:

  * Xiaomi Mi 11, Mi 11 Pro, Mi 11 Ultra, Mi 11i, Xiaomi 11 Lite 5G

  * Mi MIX 4, Mi MIX FOLD

  * Redmi K40 Pro / Redmi K40 Pro+

- OnePlus & Oppo & Realme:

  * OnePlus 9, OnePlus 9 Pro, OnePlus 9RT

  * Oppo Find X3 Pro, Find X5 (Snapdragon 888 edition)

  * Realme GT 5G

- Gaming & Performance Flagships:

  * ASUS ROG Phone 5 / 5s, ROG Phone 6

  * Black Shark 4 Pro, Red Magic 6 / 6 Pro, Vivo X60 Pro+ / iQOO 7 / iQOO 8

3. TYPICAL BOARD-LEVEL FAULT SYMPTOMS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- No Charging / 0.00A Current Draw on USB Ammeter:

  * Phone is plugged into charger, but draws 0.00A or stops at 5V 0.05A. Internal VBUS switching FET 

    failure or burned input OVP stage inside PM8350BHS.

- Fake Charging (Charging Animation Present but Battery Drains):

  * Display indicates charging lightning bolt icon, but battery percentage stays fixed or decreases. 

    Current sense resistor lines (CSN/CSP) open or buck switching inductor solder failure.

- Completely Dead Phone Due to VPH_PWR Main Line Short:

  * Internal high-side MOSFET breakdown shorts VPH_PWR directly to ground. Motherboard draws full short-circuit 

    current (e.g. 2.0A - 3.5A) upon connecting DC power supply, causing PM8350BHS to heat up severely.

- Camera Flash Failure or Instant Restart on Shutter:

  * Flashlight cannot be turned on; opening the camera and taking a photo with flash causes immediate brownout 

    shutdown or system freeze.

- Battery Temperature Error Warning:

  * Phone displays "Charging paused: Battery temperature too high / too low" even with a known-good battery, 

    caused by damaged analog-to-digital converter (ADC) monitoring channels inside the PMIC.

4. STEP-BY-STEP MULTIMETER TESTING & DIAGNOSTICS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

A. Cold Testing (Diode Mode Check - Board Powered Off, Battery Disconnected):

   1. Place multimeter in Diode Mode. Connect RED probe to motherboard Ground shield (GND):

      - USB VBUS Input Filter Capacitors: Normal ~480mV – 650mV.

      - VPH_PWR / VSYS Main Inductor & Bypass Caps: Normal ~320mV – 460mV (must NOT read 0.000V).

      - Battery Positive Terminal (VBAT): Normal ~420mV – 540mV.

      - Flash LED Anode / Boost Inductor: Normal ~450mV – 580mV.

      - SPMI Serial Data & Clock Lines: Normal ~450mV – 530mV (matched within 15mV).

      - Battery Thermistor Sense Line (BATT_THERM): Normal ~600mV – 750mV.

   2. Short-Circuit Isolation:

      - If VPH_PWR reads 0.000V (dead short), inject 3.7V DC (limited to 2.0A) onto the VPH_PWR coil. 

        Observe board with thermal camera or rosin smoke: if PM8350BHS instantly glows hot, remove the IC.

B. Live Operating Voltage Check (Hot Testing):

   1. Connect 5V USB charger into Type-C port:

      - Check VBUS input capacitors adjacent to PM8350BHS: Must measure steady 5.0V – 5.2V DC.

      - Check VPH_PWR switching inductor: Must immediately output stable 3.7V – 4.2V DC.

   2. Measure VBAT connector pins:

      - With battery disconnected, voltage at battery terminals must pulse between 3.6V and 4.2V as the 

        charger searches for battery detection.

   3. Trigger phone power button:

      - VPH_PWR must remain rock-solid above 3.6V without sagging. If VPH_PWR drops below 3.0V on boot attempt, 

        PM8350BHS internal switching regulation has degraded.

5. SOLDERING, REBALLING & REWORK SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Adjacent Component Thermal Protection:

  * PM8350BHS sits in close proximity to the Qualcomm SM8350 CPU/UFS stack and companion PM8350 PMIC.

  * Always shield surrounding silicon with multi-layer Kapton heat tape and thick copper coins to absorb heat.

- IC Removal:

  * Dispense high-purity, non-corrosive RMA tacky BGA flux around the chip perimeter.

  * Hot air rework station settings: 320°C – 330°C with 40% – 50% airflow (medium-wide nozzle).

  * Apply gentle circular motion. When solder joints liquefy completely, lift the IC vertically using fine tweezers.

- Pad Preparation & Cleaning:

  * Apply leaded solder to pads to lower the melting point.

  * Clean pads level using fine copper solder wick and a flat chisel soldering tip set to 290°C – 300°C.

  * Thoroughly remove flux residues using 99% Isopropyl Alcohol (IPA); inspect pads under microscope.

- Reballing Procedure:

  * Use a 0.12mm high-precision middle-layer stencil compatible with Qualcomm PM8350B / PM8350BHS series.

  * Squeegee 183°C (Sn63/Pb37) leaded solder paste smoothly into stencil apertures.

  * Heat uniformly at 285°C – 295°C with low airflow (20%) until shiny, perfect solder spheres are formed.

- Alignment & Installation:

  * Coat motherboard PCB footprint with an ultra-thin, uniform layer of liquid BGA flux.

  * Align Pin 1 orientation marker accurately with the motherboard silk-screen corner marking.

  * Reflow at 310°C – 320°C with 35% airflow. Tap the top of the chip gently with tweezers; it must rebound 

    freely due to solder surface tension (self-centering action).

  * Allow logic board to cool naturally to room temperature before reconnecting battery or USB power.

====================================================================================================