PM8350 IC

====================================================================================================

           QUALCOMM PM8350-004 / PM8350 004 SNAPDRAGON 888 MASTER PMIC REPAIR GUIDE

====================================================================================================

1. PRODUCT IDENTIFICATION & SILICON SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Silicon Laser Marking:          PM8350 (Production Code: PM8350-004 / PM8350 004)

- Silicon Manufacturer:           Qualcomm Technologies, Inc.

- Semiconductor Node:             Samsung 5nm EUV Advanced FinFET Architecture

- System Classification:          Primary Master Core Power Management Integrated Circuit (Core PMIC)

- Associated SoC Platforms:       Qualcomm Snapdragon 888 5G (SM8350), Snapdragon 888+ 5G (SM8350-AC)

- Multi-PMIC Triad Architecture:  PM8350-004 (Master) + PM8350C (GPU/Aux) + PM8350BH/BHS (Charger/VPH)

- Package Form Factor:            144-Pin Fine-Pitch Wafer-Level Chip-Scale BGA (WLCSP)

- Regulated Output Domains:

  * Multi-Phase Synchronous Step-Down Buck Regulators:

    - VDD_CPU_PRIME (Cortex-X1 Super Core up to 3.0GHz): 0.65V – 1.15V Dynamic Voltage Scaling (DVS).

    - VDD_CPU_GOLD (Cortex-A78 Performance Cluster): 0.65V – 1.05V DVS.

    - VDD_CPU_SILVER (Cortex-A55 Efficiency Cluster): 0.55V – 0.90V DVS.

    - VDD_MEM (LPDDR5 High-Frequency Memory Rail): Clean 1.125V / 0.6V VDDQ.

    - VDD_MODEM (Snapdragon X60 5G Baseband Core): 0.70V – 0.85V.

  * 30+ Precision Ultra-Low Noise Linear LDO Regulators:

    - Dedicated clean supplies for UFS 3.1 storage (2.95V VCC, 1.8V VCCQ, 1.2V VCCQ2).

    - Multi-channel Camera Sensor rails (AVDD 2.8V, DVDD 1.1V, OIS 3.3V).

    - Display interface, touch controller, and high-speed PCIe peripheral power lines.

  * Clocks & System Reset Monitoring:

    - Integrated 38.4MHz base clock crystal (XO) oscillator driver.

    - Power Key debounce circuit (KYPD_PWR_N).

    - Cold boot reset tree generator (PON_RESET_N) and continuous PS_HOLD (1.8V) verification.

2. COMPATIBLE 5G FLAGSHIP SMARTPHONES:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Samsung (Qualcomm Snapdragon 888 Models):

  * Galaxy S21 5G (SM-G991U), Galaxy S21+ 5G (SM-G996U), Galaxy S21 Ultra 5G (SM-G998U)

  * Galaxy S21 FE 5G (SM-G990U / SM-G990U1)

  * Galaxy Z Fold 3 5G (SM-F926U), Galaxy Z Flip 3 5G (SM-F711U)

- Xiaomi:

  * Xiaomi Mi 11, Mi 11 Pro, Mi 11 Ultra, Mi 11i

  * Mi MIX 4, Mi MIX FOLD

  * Redmi K40 Pro / Redmi K40 Pro+

- OnePlus & Oppo:

  * OnePlus 9, OnePlus 9 Pro, OnePlus 9RT

  * Oppo Find X3 Pro, Oppo Find X5 (Snapdragon 888 edition)

- Gaming & Performance Flagships:

  * ASUS ROG Phone 5 / 5s, Black Shark 4 Pro, Red Magic 6 / 6 Pro, Realme GT 5G, Vivo X60 Pro+ / iQOO 7 / iQOO 8

3. TYPICAL BOARD-LEVEL FAULT SYMPTOMS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Completely Dead Logic Board (Stuck Current 0.08A – 0.15A on DC Power Supply):

  * Upon pressing the power button, the DC bench supply jumps to ~80mA–150mA and hangs indefinitely.

  * Cause: Missing Cortex-X1 or A78 core buck voltages, defective 38.4MHz sleep clock oscillation, 

    or failed SPMI digital handshaking with companion PM8350C / PM8350BH.

- Automatic Emergency Download Mode (Qualcomm HS-USB QDLoader 9008):

  * Handset stays on a black screen and connects directly to PC in 9008 mode. Caused by missing or 

    unstable UFS 3.1 storage power rails (2.95V / 1.8V / 1.2V) generated by PM8350-004.

- Thermal Cycling Failure / Rebooting Under Load (Snapdragon 888 Thermal Stress):

  * The 5nm Snapdragon 888 generates substantial heat. Thermal expansion and contraction over time 

    frequently cause micro-fractures under the BGA solder balls of PM8350, triggering random reboots 

    or sudden shutdowns during 3D gaming or 4K/8K camera recording.

- Primary VPH_PWR Line Short Circuit:

  * High-side buck MOSFET breakdown inside PM8350-004 shorts the motherboard's main 4.0V VPH_PWR rail 

    directly to ground (0.000V in diode mode), causing the bench power supply to trip overcurrent protection.

4. STEP-BY-STEP MULTIMETER TESTING & DIAGNOSTICS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

A. Cold Testing (Diode Mode Check - Board Powered Off):

   1. Place digital multimeter in Diode Mode. Connect RED probe to motherboard GND shield:

      - Main VPH_PWR Input Bypass Capacitors: Normal ~360mV – 480mV.

      - Cortex-X1 Prime Core Inductor: Normal ~18mV – 50mV (ultra-low impedance; must NOT read 0.000V).

      - Cortex-A78 Gold Core Inductors: Normal ~25mV – 65mV.

      - LPDDR5 Memory Buck Inductor: Normal ~220mV – 320mV.

      - UFS Storage LDO Output Capacitors: Normal ~380mV – 520mV.

      - SPMI Bus Clock & Data Lines: Normal ~450mV – 540mV (must be closely matched within 15mV).

   2. Short-Circuit Isolation:

      - If VPH_PWR reads 0.000V, inject 3.8V DC (limited to 2.5A) with thermal imaging or rosin vapor. 

        If PM8350-004 glows bright white, lift the IC to clear the short.

B. Live Operating Voltage Check (Hot Testing):

   1. Connect DC power supply at 4.0V to battery terminals.

   2. Verify steady 4.0V VPH_PWR on bypass capacitors surrounding PM8350-004.

   3. Check Power Key contact: Must measure steady 1.8V DC.

   4. Press Power Button and measure output inductors during startup:

      - CPU Core inductors must output 0.75V – 0.95V DC.

      - LPDDR5 rail must generate steady 1.125V DC.

      - Verify PS_HOLD line: Must rise from 0V to 1.8V and lock high. If PS_HOLD drops back to 0V 

        after 1–2 seconds, inspect the UFS 3.1 storage and CPU/RAM dual-stack solder joints.

5. SOLDERING, REBALLING & REWORK SPECIFICATIONS:

----------------------------------------------------------------------------------------------------

- Extreme Thermal Sensitivity (5nm Multi-Layer PCB):

  * Modern 5nm logic boards use dense, ultra-thin multi-layer copper planes. Excessive heat will cause 

    inter-layer blistering or bridge the solder balls under the adjacent Snapdragon 888 CPU and RAM.

  * Always mask the neighboring CPU, RAM, UFS, and secondary PMICs with multi-layer Kapton tape and 

    thick copper heatsink coins.

- IC Removal:

  * Apply high-grade, non-corrosive RMA tacky BGA flux around PM8350-004.

  * Hot air station settings: 315°C – 325°C with 35% – 45% airflow.

  * Move nozzle in uniform concentric circles. Once all solder balls liquefy, lift vertically with fine tweezers.

- Pad Preparation & Cleaning:

  * Solder-wick the PCB pads flat using copper braid and an iron tip set to 290°C – 300°C.

  * Clean thoroughly with 99% Isopropyl Alcohol (IPA) and verify under microscope for any lifted pads.

- Reballing Procedure:

  * Use a dedicated 0.12mm middle-layer stencil compatible with Qualcomm PM8350 / SM8350.

  * Apply 183°C (Sn63/Pb37) leaded solder paste evenly. Heat gently at 290°C until all 144 balls form uniform spheres.

- Alignment & Installation:

  * Apply a microscope-thin film of flux to motherboard pads.

  * Align Pin 1 dot precisely with the PCB orientation marking.

  * Reflow at 305°C – 315°C until the IC naturally self-centers on solder surface tension.

  * Allow motherboard to cool naturally for at least 5 minutes before applying DC power.

====================================================================================================